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FDS3812

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onsemi

MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC

FDS3812 Ficha de dados

compliant

FDS3812 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
tensão de dreno para fonte (vdss) 80V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 3.4A
rds em (máx.) @ id, vgs 74mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 18nC @ 10V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 634pF @ 40V
potência - máx. 900mW
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pacote de dispositivo do fornecedor 8-SOIC
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Número da peça relacionada

SIZ920DT-T1-GE3
NTMD2C02R2
NTMD2C02R2
$0 $/pedaço
SI5944DU-T1-GE3
US5K3TR
US5K3TR
$0 $/pedaço
SH8K5TB1
SH8K5TB1
$0 $/pedaço
SIZ700DT-T1-GE3
IRLHS6276TR2PBF

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