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FDP036N10A

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3

não conforme

FDP036N10A Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $4.60000 $4.6
10 $4.11900 $41.19
100 $3.40030 $340.03
800 $2.52300 $2018.4
1,600 $2.36350 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 120A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.6mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 116 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 7295 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 333W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220-3
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

RM1A4N150S6
RM1A4N150S6
$0 $/pedaço
STU150N3LLH6
STU150N3LLH6
$0 $/pedaço
CSD23285F5T
CSD23285F5T
$0 $/pedaço
IRF4905PBF
BSS138L
BSS138L
$0 $/pedaço
STL35N15F3
STL35N15F3
$0 $/pedaço
AO3400-5.8A
AO3400-5.8A
$0 $/pedaço
IPI80N03S4L-03
R6507KNJTL
R6507KNJTL
$0 $/pedaço
FQA9N90-F109

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