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FDP027N08B

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onsemi

MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3

compliant

FDP027N08B Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 120A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.7mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 178 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 13530 pF @ 40 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 246W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220-3
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

HUFA76409D3ST
IPI144N12N3G
IPB60R600CPATMA1
IRF7210PBF
NTD65N03RG
NTD65N03RG
$0 $/pedaço
NTB18N06T4G
NTB18N06T4G
$0 $/pedaço
NVMFS5C442NLT1G
NVMFS5C442NLT1G
$0 $/pedaço

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