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FDMS8027S

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 18A/22A 8PQFN

não conforme

FDMS8027S Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.89100 -
6,000 $0.85800 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 18A (Ta), 22A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 5mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 31 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1815 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.5W (Ta), 36W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-PQFN (5x6)
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

FDAF69N25
FDP52N20
FDP52N20
$0 $/pedaço
NTMFS016N06CT1G
NTMFS016N06CT1G
$0 $/pedaço
SI7430DP-T1-GE3
NTLJF4156NTAG
NTLJF4156NTAG
$0 $/pedaço
IPA60R180C7
STF15N80K5
STF15N80K5
$0 $/pedaço
BSS87,115
BSS87,115
$0 $/pedaço

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