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FDMS8018

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN

não conforme

FDMS8018 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.78750 -
6,000 $0.76000 -
647 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 30A (Ta), 120A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 61 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5235 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.5W (Ta), 83W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-PQFN (5x6)
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

PMN25EN,115
PMN25EN,115
$0 $/pedaço
BUK7D36-60EX
BUK7D36-60EX
$0 $/pedaço
CSD19532KTTT
CSD19532KTTT
$0 $/pedaço
SPA15N60C3XKSA1
C3M0040120J1
C3M0040120J1
$0 $/pedaço
STP6N60M2
STP6N60M2
$0 $/pedaço
IXFH30N50P
IXFH30N50P
$0 $/pedaço

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