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FDMS7660

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 25A/42A 8PQFN

não conforme

FDMS7660 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.69943 -
6,000 $0.66639 -
15,000 $0.64279 -
10350 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 25A (Ta), 42A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.8mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 84 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5565 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.5W (Ta), 78W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-PQFN (5x6)
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

IRF3007PBF
PMPB12UN,115
PMPB12UN,115
$0 $/pedaço
CSD19535KCS
CSD19535KCS
$0 $/pedaço
FQPF9N50CF
FQPF9N50CF
$0 $/pedaço
IXTK200N10P
IXTK200N10P
$0 $/pedaço
SI9435BDY-T1-GE3
IRLR120TRRPBF
IRLR120TRRPBF
$0 $/pedaço
SIDR638DP-T1-GE3
STD10N60M6
STD10N60M6
$0 $/pedaço
TN0110N3-G
TN0110N3-G
$0 $/pedaço

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