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FDMS4D4N08C

FDMS4D4N08C

FDMS4D4N08C

onsemi

MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN

compliant

FDMS4D4N08C Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $1.48846 -
2236 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 123A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.3mOhm @ 44A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 56 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4090 pF @ 40 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 125W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-PQFN (5x6), Power56
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

DMNH6042SPSQ-13
SQJ433EP-T1_GE3
DMT35M4LFVW-13
DMP3011SFVW-7
NVMFS5H610NLT1G
NVMFS5H610NLT1G
$0 $/pedaço
RFH10N50
RFH10N50
$0 $/pedaço
FDR836P
FDR836P
$0 $/pedaço
UJ4C075060K3S
UJ4C075060K3S
$0 $/pedaço

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