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FDMS4D0N12C

FDMS4D0N12C

FDMS4D0N12C

onsemi

MOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN

compliant

FDMS4D0N12C Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $3.15467 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 120 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 18.5A (Ta), 114A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4mOhm @ 67A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 370A
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 82 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 6460 pF @ 60 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.7W (Ta), 106W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-PQFN (5x6)
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

APT6038SLLG
SIRA99DP-T1-GE3
IXFK94N50P2
IXFK94N50P2
$0 $/pedaço
IRL7486MTRPBF
DI028P03PT
DI028P03PT
$0 $/pedaço
BUK7M19-60EX
BUK7M19-60EX
$0 $/pedaço
FDU3N40TU
FDU3N40TU
$0 $/pedaço

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