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FDMS1D5N03

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 218A 8PQFN

compliant

FDMS1D5N03 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.96287 -
6,000 $0.92721 -
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 218A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.15mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 63 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 9690 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 83W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-PQFN (5x6)
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

SPW11N60S5FKSA1
IRF9540NSPBF
RFP15N05L_NL
SPA07N60CFDXKSA1
IPB65R280C6ATMA1
FDC636P
FDC636P
$0 $/pedaço
IRF540NL
IRF540NL
$0 $/pedaço
IPD65R250E6
ZVN0124ZSTOB

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