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FDMC86320

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onsemi

MOSFET N-CH 80V 10.7A/22A 8MLP

não conforme

FDMC86320 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.89100 -
6,000 $0.85800 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 10.7A (Ta), 22A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 8V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 11.7mOhm @ 10.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 41 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2640 pF @ 40 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.3W (Ta), 40W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-MLP (3.3x3.3)
pacote / caixa 8-PowerWDFN
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Número da peça relacionada

PSMN5R3-25MLDX
STLD200N4F6AG
RSR015P06HZGTL
IRF7201TRPBF
STB180N55F3
STB180N55F3
$0 $/pedaço
RQ3E120GNTB
RQ3E120GNTB
$0 $/pedaço
IXFX80N50Q3
IXFX80N50Q3
$0 $/pedaço
STU3N80K5
STU3N80K5
$0 $/pedaço

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