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FDMC7572S

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onsemi

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

não conforme

FDMC7572S Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $1.20285 -
2608 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 25 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 22.5A (Ta), 40A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 3.15mOhm @ 22.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 44 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2705 pF @ 13 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 2.3W (Ta), 52W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor Power33
pacote / caixa 8-PowerTDFN
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Número da peça relacionada

FDS8840NZ
FDS8840NZ
$0 $/pedaço
IRFBC30ALPBF
IRFBC30ALPBF
$0 $/pedaço
STF7NM80
STF7NM80
$0 $/pedaço
UJ4SC075018B7S
UJ4SC075018B7S
$0 $/pedaço
DMG4466SSS-13
FQA46N15
FQA46N15
$0 $/pedaço
PSMN038-100YLX
NDD60N745U1-1G
NDD60N745U1-1G
$0 $/pedaço
IXTA60N20T
IXTA60N20T
$0 $/pedaço

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