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FDD8876

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 15A/73A TO252AA

FDD8876 Ficha de dados

não conforme

FDD8876 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.40508 -
5,000 $0.37863 -
12,500 $0.36541 -
25,000 $0.35820 -
1950 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 15A (Ta), 73A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 8.2mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 47 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1700 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 70W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252AA
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

SI4842BDY-T1-E3
IXFT86N30T
IXFT86N30T
$0 $/pedaço
SI8812DB-T2-E1
SI8812DB-T2-E1
$0 $/pedaço
DI035P04PT-AQ
DMN53D0LW-7
DMN53D0LW-7
$0 $/pedaço
FDU8796
FDU8796
$0 $/pedaço
IRFP17N50LPBF
IRFP17N50LPBF
$0 $/pedaço
SIHG026N60EF-GE3
NVBG020N090SC1
NVBG020N090SC1
$0 $/pedaço

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