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FDC6561AN

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onsemi

MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6

não conforme

FDC6561AN Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.20920 -
6,000 $0.19571 -
15,000 $0.18221 -
30,000 $0.17276 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
tensão de dreno para fonte (vdss) 30V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 2.5A
rds em (máx.) @ id, vgs 95mOhm @ 2.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 3.2nC @ 5V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 220pF @ 15V
potência - máx. 700mW
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
pacote de dispositivo do fornecedor SuperSOT™-6
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Número da peça relacionada

DMG4822SSD-13
CSD87384M
CSD87384M
$0 $/pedaço
SQJ910AEP-T1_BE3
IRF7319TRPBF
QH8MA4TCR
QH8MA4TCR
$0 $/pedaço
SI4936CDY-T1-GE3
BSM600D12P3G001
NDS8936
NDS8936
$0 $/pedaço
SLA5075
SLA5075
$0 $/pedaço

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