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FDC655BN

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 6.3A SUPERSOT6

não conforme

FDC655BN Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
3,000 $0.16675 -
6,000 $0.15599 -
15,000 $0.14523 -
30,000 $0.13770 -
3 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6.3A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 25mOhm @ 6.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 3V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 15 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 570 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.6W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SuperSOT™-6
pacote / caixa SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Número da peça relacionada

BSZ0803LSATMA1
DMNH4006SK3Q-13
NTLJS4149PTBG
NTLJS4149PTBG
$0 $/pedaço
STU2N80K5
STU2N80K5
$0 $/pedaço
SFT1443-H
SFT1443-H
$0 $/pedaço
SIR438DP-T1-GE3
IXTK110N20L2
IXTK110N20L2
$0 $/pedaço
VN0606L-G-P003
IXFK210N30X3
IXFK210N30X3
$0 $/pedaço

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