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FDC6301N_G

FDC6301N_G

FDC6301N_G

onsemi

MOSFET 2 N-CH 25V SUPERSOT6

não conforme

FDC6301N_G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
tensão de dreno para fonte (vdss) 25V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 220mA
rds em (máx.) @ id, vgs 4Ohm @ 400mA, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 1.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 0.7nC @ 4.5V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 9.5pF @ 10V
potência - máx. 700mW
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
pacote de dispositivo do fornecedor SuperSOT™-6
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Número da peça relacionada

APTM60A23FT1G
2N7002DWKX-13
FMP76-010T
FMP76-010T
$0 $/pedaço
FS03MR12A6MA1LB
MCH6606-TL-E
MCH6606-TL-E
$0 $/pedaço
APTMC120HM17CT3AG

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