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FDB8896

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onsemi

MOSFET N-CH 30V 19A/93A TO263AB

FDB8896 Ficha de dados

não conforme

FDB8896 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
800 $0.90780 $726.24
1,600 $0.82441 -
2,400 $0.77229 -
5,600 $0.73581 -
31 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 19A (Ta), 93A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 5.7mOhm @ 35A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 67 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 2525 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 80W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IRF540PBF-BE3
IRF540PBF-BE3
$0 $/pedaço
IRFR1205TRLPBF
APT8030LVFRG
IXTQ10P50P
IXTQ10P50P
$0 $/pedaço
SQ2389ES-T1_BE3
CSD17556Q5BT
CSD17556Q5BT
$0 $/pedaço
BUK9Y53-100B,115
IXTA42N25P
IXTA42N25P
$0 $/pedaço

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