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FDB5800_F085

FDB5800_F085

FDB5800_F085

onsemi

MOSFET N-CH 60V 14A/80A D2PAK

compliant

FDB5800_F085 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 14A (Ta), 80A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 135 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 6625 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 242W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IXFK80N20Q
IXFK80N20Q
$0 $/pedaço
PH4330L,115
PH4330L,115
$0 $/pedaço
IRF9321PBF
NDS336P
NDS336P
$0 $/pedaço
STB26NM60ND
STB26NM60ND
$0 $/pedaço
SI3139KL-TP
SI3139KL-TP
$0 $/pedaço
STI11NM60ND
STI11NM60ND
$0 $/pedaço
SI4472DY-T1-E3
SI4472DY-T1-E3
$0 $/pedaço
IPI126N10N3 G
RP1E100XNTR
RP1E100XNTR
$0 $/pedaço

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