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FDB3860

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onsemi

MOSFET N-CH 100V 6.4A/30A TO263

FDB3860 Ficha de dados

compliant

FDB3860 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6.4A (Ta), 30A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 37mOhm @ 5.9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 30 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1740 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 3.1W (Ta), 71W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

ZVN2120ASTZ
ZVN2120ASTZ
$0 $/pedaço
BSS138W L6433
IRF6725MTR1PBF
IRFR220NTR
FQN1N60CBU
FQB45N15V2TM
NVD4809NHT4G
NVD4809NHT4G
$0 $/pedaço
IRFR3410PBF
BS170RLRP
BS170RLRP
$0 $/pedaço

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