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FDB045AN08A0-F085

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FDB045AN08A0-F085

onsemi

MOSFET N-CH 75V 19A TO263AB

não conforme

FDB045AN08A0-F085 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
800 $2.99095 $2392.76
1,600 $2.79156 -
2,400 $2.65198 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 75 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 19A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 6V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 4.5mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 138 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 6600 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 310W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

FQA13N80-F109
FQA13N80-F109
$0 $/pedaço
BUK6510-75C,127
BUK6510-75C,127
$0 $/pedaço
NDBA100N10BT4H
NDBA100N10BT4H
$0 $/pedaço
BFL4007-1E
BFL4007-1E
$0 $/pedaço
IXFY36N20X3
IXFY36N20X3
$0 $/pedaço
SI7114ADN-T1-GE3

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