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FCD5N60TM-WS

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onsemi

MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK

SOT-23

não conforme

FCD5N60TM-WS Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,500 $0.58729 -
5,000 $0.55955 -
12,500 $0.53973 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4.6A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 950mOhm @ 2.3A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 16 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 600 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 54W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-252AA
pacote / caixa TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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Número da peça relacionada

APT8024LFLLG
IRFS4228PBF
FQPF11N50CF
FQPF11N50CF
$0 $/pedaço
STU8N80K5
STU8N80K5
$0 $/pedaço
STP16NF06L
STP16NF06L
$0 $/pedaço
FDS8870
FDS8870
$0 $/pedaço
FDMS86520L
FDMS86520L
$0 $/pedaço
RMW150N03TB
RMW150N03TB
$0 $/pedaço

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