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FCB20N60FTM

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onsemi

MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

não conforme

FCB20N60FTM Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
800 $2.25470 $1803.76
1,600 $2.11216 -
2,400 $2.01238 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 600 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 20A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 190mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 98 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±30V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3080 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 208W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D²PAK (TO-263)
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

CSD16415Q5T
CSD16415Q5T
$0 $/pedaço
IRF510SPBF
IRF510SPBF
$0 $/pedaço
IPD25DP06LMATMA1
STW52NK25Z
STW52NK25Z
$0 $/pedaço
HUF76113T3ST
SQ2398ES-T1_BE3
APT17F80S
APT17F80S
$0 $/pedaço
FDP7N60NZ
FDP7N60NZ
$0 $/pedaço
IRFR224TRLPBF
IRFR224TRLPBF
$0 $/pedaço
FDU044AN03L

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