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EFC6602R-TR

EFC6602R-TR

EFC6602R-TR

onsemi

MOSFET 2N-CH EFCP

não conforme

EFC6602R-TR Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate, 2.5V Drive
tensão de dreno para fonte (vdss) -
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c -
rds em (máx.) @ id, vgs -
vgs(th) (máx.) @ id -
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 55nC @ 4.5V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
potência - máx. 2W
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa 6-XFBGA, FCBGA
pacote de dispositivo do fornecedor EFCP2718-6CE-020
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Número da peça relacionada

IRF7341PBF
SI4804CDY-T1-E3
SI4834BDY-T1-GE3
DMP22D5UDJ
DMP22D5UDJ
$0 $/pedaço
NTZD3154NT1H
NTZD3154NT1H
$0 $/pedaço
CSD75211W1723
CSD75211W1723
$0 $/pedaço
SI5904DC-T1-GE3
DMP3098LSD-13
SI3586DV-T1-E3
SI3586DV-T1-E3
$0 $/pedaço

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