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ECH8305-TL-E

ECH8305-TL-E

ECH8305-TL-E

onsemi

MOSFET P-CH 60V 4A 8ECH

compliant

ECH8305-TL-E Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.23000 $0.23
500 $0.2277 $113.85
1000 $0.2254 $225.4
1500 $0.2231 $334.65
2000 $0.2208 $441.6
2500 $0.2185 $546.25
69000 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 4A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) -
rds em (máx.) @ id, vgs 85mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id -
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 34 nC @ 10 V
vgs (máx.) -
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1680 pF @ 20 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.6W (Ta)
temperatura de operação 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor 8-ECH
pacote / caixa 8-SMD, Flat Lead
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Número da peça relacionada

SQ2351ES-T1_BE3
IXFK170N10P
IXFK170N10P
$0 $/pedaço
APT106N60B2C6
NTMFS5H414NLT1G
NTMFS5H414NLT1G
$0 $/pedaço
HUF76639S3S
NVMFS5C670NWFT1G
NVMFS5C670NWFT1G
$0 $/pedaço
SI4463BDY-T1-GE3
FDS7098N3

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