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Nome | Valor |
---|---|
status do produto | Obsolete |
tipo de feto | P-Channel |
tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
tensão de dreno para fonte (vdss) | 50 V |
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c | 70mA (Ta) |
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) | 1.5V, 4V |
rds em (máx.) @ id, vgs | 23Ohm @ 40mA, 4V |
vgs(th) (máx.) @ id | - |
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs | 1.4 nC @ 10 V |
vgs (máx.) | ±10V |
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds | 7.4 pF @ 10 V |
característica fet | - |
dissipação de potência (máx.) | 250mW (Ta) |
temperatura de operação | 150°C (TJ) |
tipo de montagem | Through Hole |
pacote de dispositivo do fornecedor | 3-SPA |
pacote / caixa | SC-72 |
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