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| Nome | Valor |
|---|---|
| status do produto | Obsolete |
| tipo de feto | N-Channel |
| tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| tensão de dreno para fonte (vdss) | 200 V |
| corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c | 4A (Ta) |
| tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) | 4V, 10V |
| rds em (máx.) @ id, vgs | 550mOhm @ 2A, 10V |
| vgs(th) (máx.) @ id | 2.6V @ 1mA |
| taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs | 21 nC @ 10 V |
| vgs (máx.) | ±20V |
| capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds | 950 pF @ 20 V |
| característica fet | - |
| dissipação de potência (máx.) | 1W (Ta), 20W (Tc) |
| temperatura de operação | 150°C |
| tipo de montagem | Through Hole |
| pacote de dispositivo do fornecedor | TP |
| pacote / caixa | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
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