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PSMN070-200P,127-NXP

PSMN070-200P,127-NXP

PSMN070-200P,127-NXP

NXP USA Inc.

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

compliant

PSMN070-200P,127-NXP Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 200 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 35A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 70mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 77 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4570 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 250W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

STD65NF06
STD65NF06
$0 $/pedaço
SPB21N10
SPB21N10
$0 $/pedaço
IRLR8503TRL
SPP80N04S2-H4
IRF7526D1
IRF7526D1
$0 $/pedaço
NVMFS6B05NT1G
NVMFS6B05NT1G
$0 $/pedaço
SI5855CDC-T1-E3
NVMFS5C442NWFAFT3G
NVMFS5C442NWFAFT3G
$0 $/pedaço
SIA450DJ-T1-GE3
HUFA76629D3
HUFA76629D3
$0 $/pedaço

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