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PSMN050-80BS,118

PSMN050-80BS,118

PSMN050-80BS,118

NXP USA Inc.

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

compliant

PSMN050-80BS,118 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
800 $0.47529 $380.232
1,600 $0.43454 -
2,400 $0.39380 -
5,600 $0.36665 -
20,000 $0.35307 -
3200 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 80 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 22A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 46mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 11 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 633 pF @ 12 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 56W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D2PAK
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IRFP340
IRFP340
$0 $/pedaço
SQJ459EP-T1_GE3
NX138AKVL
NX138AKVL
$0 $/pedaço
FDPF12N50NZ
FDPF12N50NZ
$0 $/pedaço
NTD4863N-35G
NTD4863N-35G
$0 $/pedaço
IPB60R250CPATMA1
STWA12N120K5
STWA12N120K5
$0 $/pedaço

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