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PSMN009-100W,127

PSMN009-100W,127

PSMN009-100W,127

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 100V 100A TO247-3

compliant

PSMN009-100W,127 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 100A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 9mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 214 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 9000 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 300W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-247
pacote / caixa TO-247-3
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Número da peça relacionada

IRFS4115-7PPBF
IXFB72N55Q2
IXFB72N55Q2
$0 $/pedaço
STW20NK70Z
STW20NK70Z
$0 $/pedaço
IRL3303STRLPBF
FQP11P06
PMCM6501VNE023
PMCM6501VNE023
$0 $/pedaço
SPN03N60C3
IRFS7440PBF
NVMFS5826NLWFT1G
NVMFS5826NLWFT1G
$0 $/pedaço
IRF740LCSTRR
IRF740LCSTRR
$0 $/pedaço

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