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PSMN009-100P,127

PSMN009-100P,127

PSMN009-100P,127

NEXPERIA PSMN009-100P - 75A, 100

SOT-23

não conforme

PSMN009-100P,127 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
5,000 $1.28700 -
291 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 75A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 8.8mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 156 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 8250 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 230W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

STW56N60M2-4
STW56N60M2-4
$0 $/pedaço
IRFR120
IRFR120
$0 $/pedaço
NVTFS6H860NLTAG
NVTFS6H860NLTAG
$0 $/pedaço
BUK9616-75B,118
FDB86102LZ
FDB86102LZ
$0 $/pedaço
IRFSL7434PBF
IXTP8N70X2
IXTP8N70X2
$0 $/pedaço

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