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PMN20EN,115

PMN20EN,115

PMN20EN,115

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 30V 6.7A 6TSOP

não conforme

PMN20EN,115 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.10000 $0.1
500 $0.099 $49.5
1000 $0.098 $98
1500 $0.097 $145.5
2000 $0.096 $192
2500 $0.095 $237.5
20000 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6.7A (Tj)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 20mOhm @ 6.7A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.5V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 18.6 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 630 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 545mW (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SC-74
pacote / caixa SC-74, SOT-457
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Número da peça relacionada

TP65H035WSQA
TP65H035WSQA
$0 $/pedaço
MCH3406-TL-E
MCH3406-TL-E
$0 $/pedaço
NTB23N03RG
NTB23N03RG
$0 $/pedaço
IRF530SPBF
IRF530SPBF
$0 $/pedaço
DMN3071LFR4-7R
IRF1404STRLPBF
STFI40N60M2
STFI40N60M2
$0 $/pedaço
SIHG039N60E-GE3

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