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PHN210,118

PHN210,118

PHN210,118

NXP USA Inc.

MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC

não conforme

PHN210,118 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto 2 N-Channel (Dual)
característica fet Logic Level Gate
tensão de dreno para fonte (vdss) 30V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c -
rds em (máx.) @ id, vgs 100mOhm @ 2.2A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.8V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 6nC @ 10V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 250pF @ 20V
potência - máx. 2W
temperatura de operação -65°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote / caixa 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
pacote de dispositivo do fornecedor 8-SO
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Número da peça relacionada

BSO4804
BSO4804
$0 $/pedaço
SI3911DV-T1-E3
SI3911DV-T1-E3
$0 $/pedaço
FDG6304P-F169
FDG6304P-F169
$0 $/pedaço
FDC6506P
FDC6506P
$0 $/pedaço
NTMFD4902NFT3G
NTMFD4902NFT3G
$0 $/pedaço
SI3951DV-T1-GE3
DMP58D0SV-7
DMP58D0SV-7
$0 $/pedaço
APTMC60TL11CT3AG

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