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PHB18NQ10T,118

PHB18NQ10T,118

PHB18NQ10T,118

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 100V 18A D2PAK

não conforme

PHB18NQ10T,118 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
4,800 $0.34036 -
1966 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 18A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 90mOhm @ 9A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 21 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 633 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 79W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D2PAK
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

HUFA75329G3
SCT3080KLGC11
SI3443BDV-T1-BE3
IXTA140P05T
IXTA140P05T
$0 $/pedaço
IRFB4410ZGPBF
PMPB07R3VPX
PMPB07R3VPX
$0 $/pedaço
MGSF3441VT1
MGSF3441VT1
$0 $/pedaço
NTD4904N-35G
NTD4904N-35G
$0 $/pedaço
IXFX64N50Q3
IXFX64N50Q3
$0 $/pedaço

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