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PH6530AL115

PH6530AL115

PH6530AL115

NXP USA Inc.

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

SOT-23

não conforme

PH6530AL115 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.18000 $0.18
500 $0.1782 $89.1
1000 $0.1764 $176.4
1500 $0.1746 $261.9
2000 $0.1728 $345.6
2500 $0.171 $427.5
4500 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c -
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) -
rds em (máx.) @ id, vgs -
vgs(th) (máx.) @ id -
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) -
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) -
temperatura de operação -
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor LFPAK56, Power-SO8
pacote / caixa SC-100, SOT-669
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Número da peça relacionada

FDH44N50
FDH44N50
$0 $/pedaço
STWA65N60DM6
STWA65N60DM6
$0 $/pedaço
FKP202
FKP202
$0 $/pedaço
PSMNR90-40SSHJ
IRF9520PBF-BE3
IRF9520PBF-BE3
$0 $/pedaço
IXFA60N25X3
IXFA60N25X3
$0 $/pedaço
RM80N100T2
RM80N100T2
$0 $/pedaço
FDU6676AS

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