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BUK9107-55ATE,118

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NXP USA Inc.

NOW NEXPERIA BUK9107-55ATE -

compliant

BUK9107-55ATE,118 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $1.04000 $1.04
500 $1.0296 $514.8
1000 $1.0192 $1019.2
1500 $1.0088 $1513.2
2000 $0.9984 $1996.8
2500 $0.988 $2470
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 55 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 75A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 6.2mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 108 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±15V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5836 pF @ 25 V
característica fet Temperature Sensing Diode
dissipação de potência (máx.) 272W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-426
pacote / caixa TO-263-5, D²Pak (4 Leads + Tab), TO-263BB
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Número da peça relacionada

APT77N60SC6/TR
SIR882ADP-T1-GE3
IRFZ24PBF
IRFZ24PBF
$0 $/pedaço
UJ3C065030B3
UJ3C065030B3
$0 $/pedaço
DMTH6004SK3-13
SPI20N60CFDXKSA1

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