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BUK761R3-30E,118

BUK761R3-30E,118

BUK761R3-30E,118

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK

compliant

BUK761R3-30E,118 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 120A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.3mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 154 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 11960 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 357W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor D2PAK
pacote / caixa TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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Número da peça relacionada

IRF634S
IRF634S
$0 $/pedaço
FQPF5N50C
IRL3803SPBF
IRF7473PBF
PHB78NQ03LT,118
PHB78NQ03LT,118
$0 $/pedaço
IXFX44N50Q
IXFX44N50Q
$0 $/pedaço
PMN40UPEAX
PMN40UPEAX
$0 $/pedaço
IXTQ90N15T
IXTQ90N15T
$0 $/pedaço

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