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BUK7510-100B,127

BUK7510-100B,127

BUK7510-100B,127

NXP USA Inc.

PFET, 75A I(D), 100V, 0.01OHM, 1

compliant

BUK7510-100B,127 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.76000 $0.76
500 $0.7524 $376.2
1000 $0.7448 $744.8
1500 $0.7372 $1105.8
2000 $0.7296 $1459.2
2500 $0.722 $1805
1139 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 75A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 10mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 80 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 6773 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 300W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

FDS5692Z
NDB4060L
NVMFS5C456NLAFT3G
NVMFS5C456NLAFT3G
$0 $/pedaço
SUP90142E-GE3
SUP90142E-GE3
$0 $/pedaço
FQU20N06TU
IRF740ASTRLPBF
IRF740ASTRLPBF
$0 $/pedaço
SIA440DJ-T1-GE3
AUIRLZ44Z
AUIRLZ44Z
$0 $/pedaço

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