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BUK7507-55B,127

BUK7507-55B,127

BUK7507-55B,127

NXP USA Inc.

PFET, 119A I(D), 55V, 0.0071OHM,

não conforme

BUK7507-55B,127 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.48000 $0.48
500 $0.4752 $237.6
1000 $0.4704 $470.4
1500 $0.4656 $698.4
2000 $0.4608 $921.6
2500 $0.456 $1140
3998 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 55 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 75A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 7.1mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 53 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 3760 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 203W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

SI2323CDS-T1-BE3
NVTYS004N03CLTWG
NVTYS004N03CLTWG
$0 $/pedaço
ZXMN6A08GQTC
STB130N6F7
STB130N6F7
$0 $/pedaço
IRFU4615PBF
ZXMP10A17E6TA
SUP90140E-GE3
SUP90140E-GE3
$0 $/pedaço

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