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BUK652R1-30C,127

BUK652R1-30C,127

BUK652R1-30C,127

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB

SOT-23

não conforme

BUK652R1-30C,127 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.96000 $0.96
500 $0.9504 $475.2
1000 $0.9408 $940.8
1500 $0.9312 $1396.8
2000 $0.9216 $1843.2
2500 $0.912 $2280
5004 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 120A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 2.4mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.8V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 168 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±16V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 10918 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 263W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220AB
pacote / caixa TO-220-3
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Número da peça relacionada

IRF6641TRPBF
CSD23280F3
CSD23280F3
$0 $/pedaço
NTE2381
NTE2381
$0 $/pedaço
DMT35M7LFV-7
PSMN4R2-30MLDX
BUK7M3R3-40HX
BUK7M3R3-40HX
$0 $/pedaço
R6035VNXC7G
R6035VNXC7G
$0 $/pedaço
IRFIZ24NPBF
RD3P050SNFRATL

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