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BSH112,235

BSH112,235

BSH112,235

NXP USA Inc.

MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB

não conforme

BSH112,235 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.02000 $0.02
500 $0.0198 $9.9
1000 $0.0196 $19.6
1500 $0.0194 $29.1
2000 $0.0192 $38.4
2500 $0.019 $47.5
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 300mA (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) ±15V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 40 pF @ 10 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 830mW (Tc)
temperatura de operação -65°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor SOT-23 (TO-236AB)
pacote / caixa TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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Número da peça relacionada

NXV100XPR
NXV100XPR
$0 $/pedaço
IXFN80N50
IXFN80N50
$0 $/pedaço
IXTA62N15P
IXTA62N15P
$0 $/pedaço
DMN6140LQ-13
FDN308P
FDN308P
$0 $/pedaço
APT13F120B
APT13F120B
$0 $/pedaço
IRFP350PBF
IRFP350PBF
$0 $/pedaço
DMP4051LK3-13
SI4114DY-T1-GE3

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