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A2G35S200-01SR3

A2G35S200-01SR3

A2G35S200-01SR3

NXP USA Inc.

AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR

compliant

A2G35S200-01SR3 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
250 $123.43584 $30858.96
160 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo transistor GaN HEMT
freqüência 3.4GHz ~ 3.6GHz
ganho 16.1dB
tensão - teste 48 V
classificação de corrente (amperes) -
figura de ruído -
atual - teste 291 mA
potência - saída 180W
tensão - nominal 125 V
pacote / caixa NI-400S-2S
pacote de dispositivo do fornecedor NI-400S-2S
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Número da peça relacionada

CLF1G0035S-50
CLF1G0035S-50
$0 $/pedaço
BLM8G0710S-30PBY
BLC8G27LS-100AVZ
BLP05M7200Y
BLP05M7200Y
$0 $/pedaço
MRFX035HR5
MRFX035HR5
$0 $/pedaço
BLF178P,112
BLF178P,112
$0 $/pedaço
LET20030C
LET20030C
$0 $/pedaço
MRFE6VP61K25HR5
MRFE6VP61K25HR5
$0 $/pedaço
STB60N06HDT4
STB60N06HDT4
$0 $/pedaço

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