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PSMN1R2-30YLDX

PSMN1R2-30YLDX

PSMN1R2-30YLDX

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56

não conforme

PSMN1R2-30YLDX Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,500 $0.58476 -
3,000 $0.54578 -
7,500 $0.51849 -
10,500 $0.49900 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 100A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.24mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.2V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 68 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4616 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 194W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor LFPAK56, Power-SO8
pacote / caixa SC-100, SOT-669
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Número da peça relacionada

NVTFS6H860NLWFTAG
NVTFS6H860NLWFTAG
$0 $/pedaço
IRFD220PBF
IRFD220PBF
$0 $/pedaço
SIHF5N50D-E3
SIHF5N50D-E3
$0 $/pedaço
SIHH27N60EF-T1-GE3
SIHP15N80AEF-GE3
AUIRF540ZS
NTHD3101FT1G
NTHD3101FT1G
$0 $/pedaço
FDD6N50TM
FDD6N50TM
$0 $/pedaço
SISS22DN-T1-GE3
IRFR3806TRPBF

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