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PSMN1R2-30YLC,115

PSMN1R2-30YLC,115

PSMN1R2-30YLC,115

MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56

não conforme

PSMN1R2-30YLC,115 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,500 $0.46200 -
3,000 $0.43120 -
7,500 $0.40964 -
10,500 $0.39424 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 100A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 4.5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 1.25mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 1.95V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 78 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 5093 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 215W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor LFPAK56, Power-SO8
pacote / caixa SC-100, SOT-669
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Número da peça relacionada

FQPF3N80C
FQPF3N80C
$0 $/pedaço
SI4442DY-T1-E3
SI4442DY-T1-E3
$0 $/pedaço
FDMC8854
FDMC8854
$0 $/pedaço
IXFA30N60X
IXFA30N60X
$0 $/pedaço
IXFN400N15X3
IXFN400N15X3
$0 $/pedaço

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