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PSMN028-100YS,115

PSMN028-100YS,115

PSMN028-100YS,115

MOSFET N-CH 100V 42A LFPAK56

SOT-23

não conforme

PSMN028-100YS,115 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,500 $0.35288 -
3,000 $0.31980 -
7,500 $0.29774 -
10,500 $0.28672 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 42A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 27.5mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 33 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 1634 pF @ 50 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 89W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor LFPAK56, Power-SO8
pacote / caixa SC-100, SOT-669
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Número da peça relacionada

IRL620PBF
IRL620PBF
$0 $/pedaço
NTLUS4C16NTBG
NTLUS4C16NTBG
$0 $/pedaço
IRF9530NPBF
HUFA75329S3ST
FCPF360N65S3R0L-F154
FCPF360N65S3R0L-F154
$0 $/pedaço
IXTH360N055T2
IXTH360N055T2
$0 $/pedaço
RW1E015RPT2R
RW1E015RPT2R
$0 $/pedaço
NTMFS6H836NT1G
NTMFS6H836NT1G
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