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PMZB200UNEYL

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MOSFET N-CH 30V 1.4A DFN1006B-3

compliant

PMZB200UNEYL Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
10,000 $0.07286 -
30,000 $0.06831 -
50,000 $0.06057 -
100,000 $0.05920 -
39299 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 30 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 1.4A (Ta)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 1.5V, 4.5V
rds em (máx.) @ id, vgs 250mOhm @ 1.4A, 4.5V
vgs(th) (máx.) @ id 950mV @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 2.7 nC @ 4.5 V
vgs (máx.) ±8V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 89 pF @ 15 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor DFN1006B-3
pacote / caixa 3-XFDFN
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Número da peça relacionada

IXFH6N120
IXFH6N120
$0 $/pedaço
XP262N7002TR-G
SI4128DY-T1-GE3
BUK7606-55B,118
IXTA2R4N120P
IXTA2R4N120P
$0 $/pedaço
FQP2N40-F080
FQP2N40-F080
$0 $/pedaço
IXFP130N15X3
IXFP130N15X3
$0 $/pedaço
PHD97NQ03LT,118
ECH8310-TL-H
ECH8310-TL-H
$0 $/pedaço

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