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Nome | Valor |
---|---|
status do produto | Obsolete |
tipo transistor | PNP - Pre-Biased |
corrente - coletor (ic) (máx.) | 100 mA |
tensão - quebra do coletor emissor (máx.) | 50 V |
resistor - base (r1) | 47 kOhms |
resistor - base emissora (r2) | 47 kOhms |
ganho de corrente dc (hfe) (min) @ ic, vce | 80 @ 5mA, 5V |
saturação vce (máx.) @ ib, ic | 100mV @ 500µA, 10mA |
corte de corrente - coletor (máx.) | 100nA |
frequência - transição | 180 MHz |
potência - máx. | 340 mW |
tipo de montagem | Surface Mount, Wettable Flank |
pacote / caixa | 3-XDFN Exposed Pad |
pacote de dispositivo do fornecedor | DFN1110D-3 |
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