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BUK9Y8R7-60E,115

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BUK9Y8R7-60E,115

MOSFET N-CH 60V 86A LFPAK56

não conforme

BUK9Y8R7-60E,115 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1,500 $0.44765 -
3,000 $0.41780 -
7,500 $0.39691 -
10,500 $0.38199 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 60 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 86A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 5V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 7.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.1V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 31 nC @ 5 V
vgs (máx.) ±10V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4570 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 147W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor LFPAK56, Power-SO8
pacote / caixa SC-100, SOT-669
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Número da peça relacionada

STB43N60DM2
STB43N60DM2
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FDN372S
FDN372S
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STP26N60DM6
STP26N60DM6
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CSD18532Q5BT
CSD18532Q5BT
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IXFA8N65X2
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ZVN3310A
ZVN3310A
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2N7002HR
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FDD8880-SN00319
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NDPL070N10BG
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IXFJ26N50P3
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