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BUK7909-75ATE127

BUK7909-75ATE127

BUK7909-75ATE127

N-CHANNEL POWER MOSFET

compliant

BUK7909-75ATE127 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.85000 $0.85
500 $0.8415 $420.75
1000 $0.833 $833
1500 $0.8245 $1236.75
2000 $0.816 $1632
2500 $0.8075 $2018.75
935 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 75 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 75A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 9mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 121 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 4700 pF @ 25 V
característica fet Temperature Sensing Diode
dissipação de potência (máx.) 272W (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 175°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-220-5
pacote / caixa TO-220-5
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Número da peça relacionada

ZXMN6A25N8TA
IRLZ14STRRPBF
IRLZ14STRRPBF
$0 $/pedaço
IXTR120P20T
IXTR120P20T
$0 $/pedaço
IXTP2N65X2
IXTP2N65X2
$0 $/pedaço
R6030KNXC7
R6030KNXC7
$0 $/pedaço
IRLB8721PBF
STP160N75F3
STP160N75F3
$0 $/pedaço
RUQ050N02HZGTR

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