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2N6788

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MOSFET N-CH 100V 6A TO39

2N6788 Ficha de dados

compliant

2N6788 Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
1 $0.00000 $0
500 $0 $0
1000 $0 $0
1500 $0 $0
2000 $0 $0
2500 $0 $0
Inventory changes frequently.
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Obsolete
tipo de feto N-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 100 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 6A (Tc)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 300mOhm @ 3.5A, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 4V @ 250µA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs 18 nC @ 10 V
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds -
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 800mW (Tc)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Through Hole
pacote de dispositivo do fornecedor TO-39
pacote / caixa TO-205AF Metal Can
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Número da peça relacionada

IRF3205STRR
RSS130N03FU6TB
IPD60R520CP
BSS139L6906HTSA1
SQ3426EEV-T1-GE3
NVTFS5820NLTWG
NVTFS5820NLTWG
$0 $/pedaço
IRL1004STRLPBF
IRFR9014NTRR
IRFR9014NTRR
$0 $/pedaço

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