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TP2435N8-G

TP2435N8-G

TP2435N8-G

MOSFET P-CH 350V 231MA TO243AA

SOT-23

não conforme

TP2435N8-G Preços e pedidos

Quantidade Preço unitário Preço Ext.
2,000 $1.07120 -
0 items
Bom Custo Baixo
Bom Custo Baixo
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Preços de atacado para todos os pedidos, grandes ou pequenos
Nome Valor
status do produto Active
tipo de feto P-Channel
tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
tensão de dreno para fonte (vdss) 350 V
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c 231mA (Tj)
tensão de acionamento (máx. rds ativado, mínimo rds ativado) 3V, 10V
rds em (máx.) @ id, vgs 15Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (máx.) @ id 2.4V @ 1mA
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs -
vgs (máx.) ±20V
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds 200 pF @ 25 V
característica fet -
dissipação de potência (máx.) 1.6W (Ta)
temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
tipo de montagem Surface Mount
pacote de dispositivo do fornecedor TO-243AA (SOT-89)
pacote / caixa TO-243AA
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Número da peça relacionada

IRF830BPBF
IRF830BPBF
$0 $/pedaço
FCPF13N60NT
FCPF13N60NT
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FQD3N60TF
IRFS250B
STP45N65M5
STP45N65M5
$0 $/pedaço
FDD9507L-F085
FDD9507L-F085
$0 $/pedaço
NTD4965NT4G
NTD4965NT4G
$0 $/pedaço
CSD18533Q5AT
CSD18533Q5AT
$0 $/pedaço
STB13NM60N
STB13NM60N
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PMPB16EPX
PMPB16EPX
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