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Nome | Valor |
---|---|
status do produto | Active |
tipo de feto | 2 N Channel (Phase Leg) |
característica fet | Silicon Carbide (SiC) |
tensão de dreno para fonte (vdss) | 700V |
corrente - dreno contínuo (id) @ 25°c | 238A (Tc) |
rds em (máx.) @ id, vgs | 9.5mOhm @ 80A, 20V |
vgs(th) (máx.) @ id | 2.4V @ 8mA |
taxa de portão (qg) (máx.) @ vgs | 430nC @ 20V |
capacitância de entrada (ciss) (máx.) @ vds | 9000pF @ 700V |
potência - máx. | 674W (Tc) |
temperatura de operação | -40°C ~ 175°C (TJ) |
tipo de montagem | Chassis Mount |
pacote / caixa | Module |
pacote de dispositivo do fornecedor | SP4 |
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